薄膜衬底

主要性能参数

Nb:SrTiO3 级别

A

B

C

D

Nb 浓度(wt%)

1.0

0.7

0.5

0.1

电阻率 ohm-cm

0.0035

0.0070

0.05

0.08

迁移率 cm2/vs

9.0

8.5

8.5

6.5

特点

Nb:SrTiO3与SrTiO3单晶具有相似的结构，但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。

尺寸

10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，

Ф15,Ф20，Ф1″，

厚度

0.5mm，1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

＜100＞  ＜110＞  ＜111＞

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

2°（特殊要求可达1°以内）

斜切晶片

可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片

Ra:

≤5Å（5µm×5µm）

包装

100级洁净袋，1000级超净室