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SiO2单晶水晶片是一种极好的基片，用于无线通讯工业的微波滤波器。

主要性能参数
生长方法	水热法
晶体结构	六方
晶格常数	a=4.914Å c=5.405 Å
熔点（℃）	1610℃（相转变点：573.1℃）
密度	2.684g/cm³
硬度	7（mohs）
热熔	0.18cal/gm
热导率	0.0033cal/cm℃
热电常数	1200uv/℃（300℃）
折射率	1.544
热膨胀系数	α11：13.71×10⁶/ ℃ α33：7.48×10⁶ /℃
Q值	1.8×10⁶min
声速、声表级	3160（m/sec）
频率常数	1661（kHz/mm）
压电偶合	K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14
晶向	Y、X或Z切，在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值主定位边：根据客户要求定方向±30分次定位边：根据客户要求定方向籽晶：位于中心，宽度<5mm，高度>66mm
抛光面	外延抛光：单抛或双抛Ra<10Å 工作区域：基片直径-3mm 弯曲度：Φ3″<20um，Φ4″<30um 工作区域无崩边，在边缘，崩边宽度<0.5mm 坑和划痕：每片<3，每100片<20
标准厚度	0.5mm±0.05mm TTV<5um
标准直径	Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm 主定位边：22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″) 次定位边：10mm±1.5mm