薄膜衬底
用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池衬底等材料。
发布日期：2020-04-28 浏览次数：0
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主要性能参数
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生长方法
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提拉法
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晶体结构
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立方
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晶格常数
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a=5.65754 Å
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密 度
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5.323g/cm3
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熔点
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937.4℃
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掺杂物质
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不掺杂
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掺Sb
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掺Ga
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类型
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/
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N
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P
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电阻率
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＞35Ωcm
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0.01~10Ωcm
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0.01~10Ωcm
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EPD
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＜4×103∕cm2
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＜4×103∕cm2
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＜4×103∕cm2
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
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Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客户要求划片
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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抛光
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单面或双面
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晶向
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<100>、<110>、<111>、±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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边缘定向精度:
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2°（特殊要求可达1°以内）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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