掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构，但Nb:SrTiO3具有导电性。掺铌钛酸锶的电阻在0.1-0.001W-cm之间变化随掺铌浓度在0.1-0.001wt%之间不同，传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。 
发布日期：2020-04-28 浏览次数：0
掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构，但Nb:SrTiO3具有导电性。掺铌钛酸锶的电阻在0.1-0.001W-cm之间变化随掺铌浓度在0.1-0.001wt%之间不同，传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。 |
主要性能参数 |
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Nb:SrTiO3 级别 |
A |
B |
C |
D |
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Nb 浓度(wt%) |
1.0 |
0.7 |
0.5 |
0.1 |
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电阻率 ohm-cm |
0.0035 |
0.0070 |
0.05 |
0.08 |
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迁移率 cm2/vs |
9.0 |
8.5 |
8.5 |
6.5 |
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特点 |
Nb:SrTiO3与SrTiO3单晶具有相似的结构，但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。 |
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尺寸 |
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
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Ф15,Ф20，Ф1″， |
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厚度 |
0.5mm，1.0mm |
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抛光 |
单面或双面 |
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晶向 |
＜100＞ ＜110＞ ＜111＞ |
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晶面定向精度: |
±0.5° |
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边缘定向精度: |
2°（特殊要求可达1°以内） |
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斜切晶片 |
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
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Ra: |
≤5Å（5µm×5µm） |
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包装 |
100级洁净袋，1000级超净室 |
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