SiC单晶具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等，适合于制备高频率、高功率、高温以及耐辐照的电子器件。 
发布日期：2020-04-26 浏览次数：0
SiC单晶具有许多优良的性质，热导率高、饱和电子迁移率高、抗电压击穿能力强等，适合于制备高频率、高功率、高温以及耐辐照的电子器件。 | 主要性能参数 | |
| 生长方法 | 籽晶升华法 ,PVT（物理气相传输） |
| 晶体结构 | 六方 |
| 晶格常数 | a=3.08 Å c=15.08 Å |
| 密度 | 3.21 g/cm3 |
| 方向 | 生长轴或 偏<0001> 3.5 º |
| 带隙 | 3.26 eV (间接) |
| 硬度 | 9.2（mohs） |
| 热传导@300K | 5 W/ cm.k |
| 介电常数 | e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 |
| 尺寸 | 10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， |
| Dia2",Di3",Dia4" | |
| 厚度 | 0.35mm， |
| 抛光 | 单面或双面 |
| 晶向 | <0001>±0.5º |
| 晶面定向精度: | ±0.5° |
| 边缘定向精度: | 2°（特殊要求可达1°以内） |
| 斜切晶片 | 可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片 |
| Ra: | ≤5Å（5µm×5µm） |
| 包装 | 100级洁净袋，1000级超净室 |
